FMUSER Opprinnelig ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Opprinnelig ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor FMUSER MRF6VP11KHR6 er primært designet for pulserende bredbåndsapplikasjoner med frekvenser opptil 150 MHz. Enheten er uovertruffen og er egnet for bruk i industrielle, medisinske og vitenskapelige applikasjoner. Funksjoner Typisk pulsert ytelse ved 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Gj.sn.), Pulsbredde = 100 µsek, Driftssyklus = 20% Effektforsterkning: 26 dB Avløpseffektivitet: 71 % Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 130 MHz, 1000 Watt Toppeffekt karakterisert med serie Tilsvarende parametere med stor signalimpedans CW-operasjonsevne med tilstrekkelig kjøling Kvalifisert Opp til maksimalt 50 VDD-drift Integrert ESD-beskyttelse

Detalj

Tidligere:FMUSER Original D1029UK RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Dual N-Channel MOSFET, 35 A, 70 V, 5-pin DR D1029UK

Neste:FMUSER originale nye MRF6V2150NB SMD RF kraft transistor rør høyfrekvente rør effektforsterkningsmodul strøm MOSFET transistor

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
215	1	0	215	DHL
				DHL

FMUSER Original ny MRF6VP11KH RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

FMUSER MRF6VP11KHR6 er primært designet for pulserende bredbåndsapplikasjoner med frekvenser opptil 150 MHz. Enheten er uovertruffen og er egnet for bruk i industrielle, medisinske og vitenskapelige applikasjoner.

Egenskaper

Typisk pulserende ytelse ved 130 MHz: VDD = 50 Volt, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watt (200 W Gj.sn.), Pulsbredde = 100 µsek, Driftssyklus = 20%
Effektforsterkning: 26 dB
Renne Effektivitet: 71%
Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 VDC, 130 MHz, 1000 Watts Peak Power
Karakterisert med seriens ekvivalente parametere med stor signalimpedans
CW-driftskapasitet med tilstrekkelig kjøling
Kvalifisert opptil maksimalt 50 VDD-drift
Integrert ESD Protection
Designet for push-pull-operasjon
Større negativ gate-kilespenningsområde for forbedret klasse C-operasjon
RoHS
I Tape and Reel. R6-suffiks = 150 enheter per 56 mm, 13 tommers spole

Spesifikasjon

Transistor Type: LDMOS
Teknologi: Si
Søknadsbransje: ISM, Broadcast
Søknad: Vitenskapelig, medisinsk
CW / puls: CW
Frekvens: 1.8 til 150 MHz
Effekt: 53.01 dBm
Effekt (W): 199.99 W
P1dB: 60.57dBm
Maksimal utgangseffekt: 1000 W.
Pulserende bredde: 100 us
Duty_Cycle: 0.2
Effektforsterkning (Gp): 24 til 26 dB
Inngangsretur: Tap: -16 til -9 dB
VSWR: 10.00: 1
Polaritet: N-kanal
Forsyningsspenning: 50 V.
Terskel spenning: 1 til 3 Vdc
Nedbrytningsspenning - Avløpskilde: 110 V
Spenning - Gate-kilde: (Vgs): - 6 til 10 Vdc
Avløpseffektivitet: 0.71
Avløpsstrøm: 150 mA
Impedans Zs: 50 ohm
Termisk motstand: 0.03 ° C / W
Pakke: Type: Flens
Pakke: CASE375D - 05 STIL 1 NI - 1230--4
RoHS: Ja
Driftstemperatur: 150 grader C
Lagringstemperatur: -65 til 150 grader C