MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR -RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR Beskrivelse Disse enhetene med høy robusthet, MRFE6VP5300NR1 og MRFE6VP5300GNR1, er designet for bruk i høy VSWR industrielle (inkludert laser- og plasmakildere), kringkasting (analog og digital), romfart og radio / landmobile applikasjoner. De er uovertruffen inngangs- og utgangsdesign som tillater bredt frekvensområde, mellom 1.8 og 600 MHz. Funksjoner ● Bredt driftsfrekvensområde ● Ekstrem robusthet ● Uovertruffen inngang og utgang som tillater bruk av bredt frekvensområde ● Integrert stabilitetsforbedring ● Lav termisk motstand ● Integrert ESD-beskyttelseskrets ● RoHS-kompatibel ● I bånd og rull. R1 Suffiks = 500 enheter, 44 mm båndbredde, 13-tommers spole. Viktige parametre

Detalj

Tidligere:FMUSER Original ny MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET

Neste:FMUSER Original MRF1K50H RF Power MOSFET LDMOS Transistor 1500W CW ved 50 V over 1.8-500 MHz

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
135	1	0	135	DHL
				DHL

MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Beskrivelse

Disse enhetene med høy robusthet, MRFE6VP5300NR1 og MRFE6VP5300GNR1, er designet for bruk i industriell høy VSWR (inkludert laser- og plasmakildere), kringkasting (analog og digital), romfart og radio / landmobile applikasjoner. De er uovertruffen inngangs- og utgangsdesign som gir bred frekvensutnyttelse, mellom 1.8 og 600 MHz.

Egenskaper
●Bredt driftsfrekvensområde
●Ekstrem robusthet
●Uovertruffen inngang og utgang Tillater bruk av bred frekvensområde
●Integrerte stabilitetsforbedringer
●Lav termisk motstand
●Integrert ESD Protection Circuitry
●RoHS
●I Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Enheter, 44 mm Tape Bredde, 13-tommer Reel.

Nøkkelparametrikk
●Frekvens (min) 1.8 (MHz)
●Frekvens (maks) 600 (MHz)
●Forsyningsspenning (typ) 50 (V)
●P1dB (Typ) 54.8 (dBm)
●P1dB (Typ) 300 (W)
●Utgangseffekt (typ) (W) @ intermodulasjonsnivå ved testsignal 300.0 @ CW
●Test signal CW
●Effektforsterkning (typ) 25.0 @ 230 (dB) @ f (MHz)
●Effektivitet (typ) 70 (%)

●Termisk motstand (spesifikasjon) 0.22 (℃ / W)