FMUSER Original ny MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Original ny MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor Beskrivelse Designet primært for bredbåndssignalutgang og drivertrinn fra 30–200 MHz. Funksjoner ● N-Channel Enhancement Mode MOSFET ● Utmerket termisk stabilitet egnet for Cass A-drift ● Garantert ytelse ved 150 MHz, 28 Vdc: Utgangseffekt = 45 W, ● Effektforsterkning = 17 dB (min) 'Effektivitet = 60% (min) ● Typiske data for effektforsterkerapplikasjoner i industrielt, ● Kommersielt og amatørradioutstyr: ● Typisk ytelse ved 30 MHz, 28 Vdc: Utgangseffekt = 30 W, Effekt ● forsterkning = 20 dB (Typ.) (PEP), Effektivitet = 50 % (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (

Detalj

Tidligere:FMUSER Opprinnelig ny MRF173 RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Neste:MRFE6VP5300N RF POWER MOSFET TRANSISTOR

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
56	1	0	56	luftpost
				luftpost

FMUSER Original Nyhet MRF171A RF Power Transistor Power MOSFET Transistor

Beskrivelse

Designet primært for bredbåndssignalutgang og driver trinn fra 30–200 MHz.

Egenskaper

●N – Channel Enhancement Mode MOSFET
●Utmerket termisk stabilitet egnet for Cass A-operasjon
●Garantert ytelse ved 150 MHz, 28 Vdc: Utgangseffekt = 45 W,
●Effektforsterkning = 17 dB (min) 'Effektivitet = 60% (min)
●Typiske data for applikasjoner for forsterkere,

●Kommersielt og amatørradioutstyr:

●Typisk ytelse ved 30 MHz, 28 Vdc: Utgangseffekt = 30 W, Strøm

●forsterkning = 20 dB (Typ.) (PEP), Effektivitet = 50% (typ.), IMD (d3) (30 W PEP) –32 dB (typ.)
●Gull toppmetall
●Lav Crss - 8 pF @ VDS = 28 V.
●100% testet for belastningsfeil i alle fasevinkler med 30: 1 VSWR
●Tilrettelegger for manuell gevinstkontroll, ALC og moduleringsteknikker