FMUSER Original New SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER FM / TV Broadcast One Stop Stop leverandør

FMUSER Original ny SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor Funksjoner ● Gullmetallisering ● Utmerket termisk stabilitet ● Felles kilde push-pull-konfigurasjon ● POUT = 300 W min. med 15 dB forsterkning @ 175 MHz Beskrivelse FMUSER SD2932 er en gullmetallisert N-kanal MOS felteffekt RF effekttransistor med utmerket termisk stabilitet som brukes til 50 V DC store signalapplikasjoner opp til 250 MHz. Spesifisering: ● Produktkategori: RF MOSFET-transistorer ● Transistorpolaritet: N-kanal ● Id - Kontinuerlig dreneringsstrøm: 40 A ● Vds - Nedbrytingsspenning for avløpskilde: 125 V ● Forsterkning: 15 dB ● Utgangseffekt: 300 W ● Minimum drift Temperatur: - 65 C ● Maksimal driftstemperatur: + 150 C ● Monteringsstil: SMD / SMT

Detalj

Tidligere:FMUSER original ny SD2942 N-kanal 350W utgang RF kraft transistor RF MOSFET transistorer RF transistor

Neste:FMUSER Original MRF151 To-59 høyfrekvent rør 150 W, 50 V, 175 MHz N-kanal bredbånd MOSFET RF Power Field-Effect Transistor

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
199	1	0	199	DHL
				DHL

FMUSER Opprinnelig ny SD2932 RF Power Transistor High Power Gain 50V MOSFET Transistor

Fsjoner

●Gullmetallisering
●Utmerket termisk stabilitet
●Vanlig kilde push-pull-konfigurasjon
●POUT = 300 W min. med 15 dB gevinst @ 175

MHz

Beskrivelse
FMUSER SD2932 er en gullmetallisert N-kanal MOS felteffekt RF-effekttransistor med utmerket termisk stabilitet brukt til 50 V DC store signalapplikasjoner opp til 250 MHz.

Speciafication:

●Produktkategori: RF MOSFET-transistorer
●Transistor polaritet: N-Channel
●Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: 40 A
●Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V
●Gevinst: 15 dB
●Utgangseffekt: 300 W
●Minimum driftstemperatur: - 65 C
●Maksimal driftstemperatur: + 150 C
●Monteringsstil: SMD / SMT
●Package / Case: M244
●Emballasje: Magasin
●Konfigurasjon: Single
●Driftsfrekvens: 250 MHz
●Type: RF Power MOSFET
●Pd - Effektdissipasjon: 500 W
●Produkttype: RF MOSFET-transistorer
●Underkategori MOSFETs
●Vgs - Gate-Source Voltage: 5 V