FMUSER Original Ny MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Bredbånd-RF Transistor FMUSER FM / TV Broadcast One-Stop Leverandør

FMUSER Opprinnelig ny MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W Lateral N-Channel Broadband Overview MRF6VP2600H er primært designet for bredbåndsapplikasjoner med frekvenser opptil 500 MHz. Enheten er uovertruffen og er egnet for bruk i kringkastingsapplikasjoner. Funksjoner * Typisk DVB-T OFDM-ytelse: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Gj.sn., F = 225 MHz, Kanalbåndbredde = 7.61 MHz, Inngangssignal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Sannsynlighet på CCDF. Effektforsterkning: 25 dB Avløpseffektivitet: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Båndbredde * Typisk pulsert ytelse: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watt Peak, f = 225 MHz, Pulsbredde = 100

Detalj

Tidligere:FMUSER Original ny MRFE6VP61K25H RF kraft transistor høy effekt MOSFET transistor LDMOS for 1000w FM sender

Neste:FMUSER Original Ny BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
245	1	35	280	DHL
				DHL

FMUSER Original Ny MRF6VP2600H RF Power Transistor MOSFET Transistor 500MHz 600W N-kanal bredbånd i siden

Oversikt

MRF6VP2600H er utformet primært for bredbåndsapplikasjoner med frekvenser opp til 500 MHz. Enheten er uovertruffen og er egnet for bruk i kringkastingsprogrammer.

Egenskaper

* Typisk DVB-T OFDM-ytelse: VDD = 50 Volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watt Gj.sn., F = 225 MHz, Kanalbåndbredde = 7.61 MHz, Inngangssignal PAR = 9.3 dB @ 0.01% Sannsynlighet for CCDF. : 25 dB Avløpseffektivitet: 28.5% ACPR @ 4 MHz Offset: –61 dBc @ 4 kHz Båndbredde

* Typisk pulserende ytelse: VDD = 50 volt, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 watt topp, f = 225 MHz, pulsbredde = 100 µsek, driftssyklus = 20% effektforsterkning: 25.3 dB Avløpseffektivitet: 59%

* Kan håndtere 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 600 Watts Peak Power, Pulsbredde = 100 μsec, Driftssyklus = 20%

* Karakterisert med serie ekvivalente parametere med stor signalimpedans

* CW-driftskapasitet med tilstrekkelig kjøling

* Kvalifisert opp til maksimalt 50 VDD-drift

* Integrert ESD Protection

* Designet for push-pull-operasjon

* Større negativ gate-kilespenningsområde for forbedret klasse C-operasjon

* RoHS

* I Tape and Reel. R6 Suffix = 150-enheter per 56 mm, 13-tommers reel.

Spesifikasjon

Frekvens (min) (MHz): 2

Frekvens (Max) (MHz): 500

Tilførselsspenning (Type) (V): 50

P1dB (Typ) (dBm): 57.8

P1dB (Typ) (W): 600

Utgangseffekt (Type) (W) @ Intermodulasjonsnivå ved Test Signal: 125.0 @ AVG

Testsignal: OFDM

Strømforsterkning (Typ) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Effektivitet (Typ) (%): 28.5

Termisk motstand (Spec) (℃ / W): 0.2

Matchende: uovertruffen

Klasse: AB

Dørteknologi: LDMOS

Pris (USD)	Ant (PCS)	Shipping (USD)	Total (USD)	forsendelsesmetode	Betaling
245	1	35	280	DHL
				DHL

Tidligere:FMUSER Original ny MRFE6VP61K25H RF kraft transistor høy effekt MOSFET transistor LDMOS for 1000w FM sender

Neste:FMUSER Original Ny BLF178XR RF Power Transistor Power MOSFET Transistor LDMOS 1400W HF-128MHz

Legg igjen en beskjed

Meldingsliste

Kommentarer Loading ...